基本信息

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汪倩文，女，工学博士，特聘七级副教授、硕士生导师。长期聚焦于纳米器件与电路设计，三维闪存存储器器件测试与计算，新型半导体材料第一性原理计算等。以第一作者或通讯作者先后在Advanced Functional Materials, IEEE IEDM, IEEE Transactions on Electron Devices, ACS Applied Nano Materials, Applied Physics Express, Chinese Physics B等国际期刊及微电子顶级会议发表论9篇，在ACS Materials Letters，Applied Surface Science等期刊合作发表论文20余篇。

主持国家自然科学基金青年项目1项，山东省自然科学基金青年项目1项；参与国家自然科学重点项目1项，国家自然科学基金委面上项目1项，山东省自然科学基金重大基础研究项目1项，山东省高等学校“青创团队计划”1项，获国家发明专利授权2项。

学习研究经历

• 2019/06 – 2022/06  山东大学，信息科学与工程学院，博士

• 2022/06 – 至今 青岛科技大学，信息科学技术学院，特聘七级副教授

主要研究方向

纳米器件与电路设计、三维架构闪存器件与芯片、新型低功耗晶体管、新型半导体材料、第一性原理计算等。欢迎电子信息、微电子、物理、材料等专业同学报考课题组研究生，每年招收1～2名。

获奖及荣誉称号

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个人称号及荣誉

• 第十六届蓝桥杯优秀指导教师

• 第八届全国大学生集成电路创新创业大赛优秀指导教师

代表性奖项

• 2022.06，山东省优秀博士学位论文

• 2022.06，山东大学优秀博士学位论文

教科研项目

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主持科研项目

• 国家自然科学基金青年项目，62404117，基于破隙型能带工程的低功耗冷源场效应晶体管理论研究，2025.01-2027.12，30万，在研

• 山东省自然科学青年项目，ZR2023QF076，低功耗冷源场效应晶体管的理论研究，2024.01-2026.12，15万，在研

参与科研项目

• 国家自然科学基金重点项目, 62034006, 面向科学计算的存算一体化闪存器件的研究, 2021.01-2025.12，298万，在研

• 国家自然科学基金面上项目, 62174100, 陡亚阈值摆幅有机场效应晶体管设计：二维有机框架策略, 2022.01-2025.12，57万元，在研

• 山东省自然科学基金重大基础研究项目，ZR2023ZD06，领域知识与强化学习共融的纳米尺度模拟集成电路智能优化理论与应用，2024.01-2026.12，160万，在研

• 山东省高等学校“青创团队计划”，2023KJ028，感存算融合光电忆阻技术研究，在研

论文论著专利

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代表性论文

• Q.W. Wang, J. Chen*, Cold Source Engineering towards Sub-60 mV/dec p-Type Field-effect-transistors (pFETs): Materials, Structures, and Doping Optimizations. IEDM, 2020, pp. 22.4.1-22.4.4. (微电子顶级会议)

• P.P. Sang, Q.W. Wang*, J. Chen*, Van der Waals Heterostructure Contact Strategy for Barrier-Free 2D Complementary Transistors, Advanced Functional Materials, 2024, 34, 52, pp. 24111309.(IF: 18.5)

• P.P. Sang, Q.W. Wang*, J. Chen*, A Computational Study on Electrical Contacts in Monolayer hhk-Si Field-Effect Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, 2025, 72, 2, pp. 924-929. (Top期刊)

• Q.W. Wang, J. Chen*, Tunneling Junction as Cold Source: Toward Steep-Slope Field-Effect Transistors Based on Monolayer MoS2. IEEE Trans. Electron Devices, 2021, 68, 9, pp. 4758-4761. (Top期刊)

• Q.W. Wang, J. Chen*, A Computational Study on Functionalized MoS2 Nanoribbon for Intrinsic Cold Source Transistor. ACS Appl. Nano Mater., 2021, 5, 1, pp. 1078.

• Q.W. Wang, J. Chen*, Strain Engineered C31 Field-effect-transistors: A New Strategy to Break 60 mV/decade by Using Electron Injection from Intrinsic Isolated States. Appl. Phys. Express, 2021, 14, pp. 074003.

• Q.W. Wang, J. Chen*, P-type cold-source field-effect transistors with TcX2 and ReX2 (X = S, Se) cold source electrodes: A computational study. Chinese Phys. B, 2023, 32, 12, pp. 127203.

• Q.W. Wang, J. Chen*, Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel, SNW, 2020, pp. 103-104.

代表性专利

• ZL 2020 1 0454479. 1，一种数据检索阵列

• ZL 2019 1 0875894.1，半导体单元器件、半导体芯片系统及PUF信息处理器

• 202110794885. 7，一种逻辑门的构建方法

其他成果

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竞赛指导

• 第十六届蓝桥杯全国软件和信息技术专业人才大赛省二等奖、三等奖

• 第八届全国大学生集成电路创新创业大赛华北赛区三等奖

• 山东省大学生电子设计大赛三等奖